檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Layered semiconductor".ekeyword (精準) and cdept.raw="電子工程系"
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本論文主要研究具有良好的發光特性材料,III-VI 族硒硫化鎵系列半導體GaSe1-xSx (0≤x≤1),通過適當的硒硫成分變化來控制其光學特性,並分析放射螢光光譜以及區域掃描時間解析行為。在於這…
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本論文主要是探討量子侷限效應外層狀半導體具有不同厚度的二硫化鉬(MoS2)及二硫化鎢(WS2)奈米結構之電傳輸特性。研究結果發現利用簡單的機械剝離法所產生的奈米結構表現出比塊材晶體要高出了幾個數量級…